矽光子晶圓級測試系統 SiPh Wafer Level Test System

功能
‧SiPh晶片設計驗證
‧學術及實驗室研究
‧量產測試及品質控制

主要特點
‧高可靠度奈米等級的對位耦合精度
‧半自動化光學耦合與對位測試
‧多種測量功能可用於 O-O、O-E、E-O 和 E-E 的設備配置

Sku: SiPh Wafer Level Test System

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更新日期：2025.04.10

工作站特色

工作站	功能	主要特點
SiPh晶片測試	‧SiPh芯片設計驗證 ‧學術及實驗室研究 ‧量產測試及品質控制	‧高可靠性納米級的對位連接精度 ·半自動化光連接與對位測試 ·多種測量功能可用於OO、OE、EO和EE的設備配置

主要設備

裝置	關鍵參數
精細定位	•X/Y/Z 軸解析度 2nm •X/Y/Z 軸重複定位精度 5nm

設定規範

類別	專案	規格參數
設備尺寸及動力	進口電力	220伏 50/60赫茲
	壓縮空氣	壓縮空氣量>500PM；供氣系統壓力0.4MPa~0.8MPa
	真空設備	真空幫浦保證真空度-53～-100kPa以上
	環境要求	溫度：22±2℃；相對濕度：60%@22℃；無塵室等級：Class 10k
	尺寸要求	1660毫米×1610毫米×1550毫米
	設備重量	1500公斤
設備安規	產品安全防護	產品接觸接地處理
	靜電防護	離子轉換器除靜電
	軟體防護	防呆設計
	設備防護	設備軸程限位+距離感測，防碰撞
	操作員安全防護	護目鏡
運動與定位系統 (粗略定位)	控制軸數	雙6軸
	工件搬運方式	氣動夾爪、真空吸嘴固定
	解析度 XYZ驅動形式	±0.05μm 步進馬達+螺桿
	XYZ運動行程	±15毫米
	最大運動速度	15毫米/秒
運動與定位系統 (精細定位)	控制整合	XYZ
	解析度	2奈米
	我們重複性(10%移動範圍)	5奈米
隊列系統	掃描時間-螺旋區域10 µm	<0.5秒
	掃描時間-半徑±5 µm	<0.3秒
	重複性	0.02 分貝
Z軸距感測系統	感應範圍	2.4毫米
Z軸距感測系統	解析度	24奈米
團隊運動系統	運動行程	XY軸50mm；Z軸127mm
	解析度	1微米
	重複性	±3μm
點台系統(XYZ平台)	運動行程	X軸350mm； Y軸365mm；Z軸20mm
	解析度	0.1微米
	重複性	±1μm
	精確度	±2μm
點台系統(Theta平台)	運動行程	±10°
	解析度	0.0001°
	重複性	0.0005°
	精確度	0.001°
晶片卡磁碟	直徑	310毫米
	表面平整度	±10μm
	支援待測物尺寸	單一待測物，2、4、6、8、12英寸
溫控系統	溫度可控範圍	建議使用範圍 -40°C 至 100°C, 最高可至 300°C
溫控系統	電梯溫度速率	升溫: -40°C to 25°C < 30 min; 25°C to 300°C < 50 min 降溫: 300°C to 25°C < 60min; 25°C to -40°C <60 min

矽光子晶圓級測試系統 SiPh Wafer Level Test System

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